De grandes mémoires organiques pour nos objets électroniques

Un mélange, comprenant une petite molécule photo-commutable et un polymère semi-conducteur, permettant de créer des mémoires de haute performance. C'est le défi que ce sont lancés des chercheurs du Laboratoire de nanochimie de l'Institut de Science et d'Ingénierie Supramoléculaires (CNRS / Université de Strasbourg), en collaboration avec l'Université Humboldt de Berlin (Allemagne) et l'Université de Nova Gorica (Slovénie). Défi relevé ! Ces mémoires peuvent, de plus, être écrites et effacées par illumination.

L’équipe composée de chercheurs de Strasbourg, Berlin et de Nova Gorica proposent des mémoires optiques dites multi-niveaux. Les applications sont nombreuses : électronique portable, dispositifs intelligents, circuits logiques notamment. De nombreuses recherches se focalisent sur l’augmentation des capacités de stockage de données. Nos instruments de tous les jours tels que les disques durs ou les clés USB se composent actuellement de silice. Les chercheurs souhaitent suivre une autre approche grâce à des mémoires capables de stocker plusieurs bits d’information par dispositif, ces mémoires sont appelées multi-niveaux.

Un transistor organique en couches minces sensibles à la lumière a été imaginé par les chercheurs. Ce transistor est un savant mélange d’une molécule conçue sur mesure et d’un polymère semi-conducteur de haute performance. La petite molécule photo-commutable est utilisée comme interrupteur optique miniature. Les lumières ultraviolette et verte permettent respectivement d’« écrire » et d’« effacer » les informations. De manière technique, l’interrupteur reçoit une inter-conversion réversible qui permet soit de laisser passer soit d’empêcher le passage du courant à travers le polymère semi-conducteur.

Les chercheurs ont réussi à créer des mémoires multi-niveaux avec des capacités de 8 bits. Ces mémoires permettent 70 cycles d’écriture et d’effacement. De plus, le temps de rétention des informations peut aller jusqu’à 500 jours. Les chercheurs ont réussi à remplacer le silicium rigide par du polyéthylène téréphtalate qui permet une plus grande flexibilité.

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Référence

Tim Leydecker, Martin Herder, Egon Pavlica, Gvido Bratina, Stefan Hecht*, Emanuele Orgiu & Paolo Samorì
Flexible nonvolatile optical memory thinfilm transistor device with over 256 distinct levels based on an organic bicomponent blend
Nature Nanotechnology 20 juin 2016
DOI : 10.1038/nnano.2016.87

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